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MMBT5551-7中文资料

MMBT5551-7图片

MMBT5551-7外观图

  • 大小：47.88KB
  • 厂家：DIODES [Diodes Incorporated]
  • 描述：NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：160V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 10mA，5V
  • 功率 - 最大：300mW
  • 频率 - 转换：300MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBT5551MMBT5551-7DITRMMBT5551DITRMMBT5551DITR-NDMMBT5551TRMMBT5551TR-ND

MMBT5551-7供应商

更新时间:2023-01-17 09:32:32
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